2025年全球半导体产业十大看点

编者按：经历了2024年的蓄势与回暖，全球半导体业界对2025年市场表现呈乐观预期。WSTS预测，2024年全球销售额将同比增长19.0%，达到6269亿美元。2025年，全球销售额预计达到6972亿美元，同比增长11.2%。伴随市场动能持续复苏，十大半导体技术趋势蓄势待发。

01、2nm及以下工艺量产

2025年，是先进制程代工厂交付2nm及以下工艺的时间点。台积电2nm工艺预计2025年下半年量产，这也是台积电从FinFet架构转向GAA（全环绕栅极）架构的第一个制程节点，将导入纳米片晶体管技术。三星计划2025年量产2nm制程SF2，并将在2025—2027年陆续推出SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A等不同版本，分别面向移动、高性能计算及AI（SF2X和SF2Z都面向这一领域，但SF2Z采用了背面供电技术）和汽车领域。英特尔的Intel 18A（1.8nm）也将在2025年量产，将采用RibbonFET全环绕栅极晶体管架构和PowerVia背面供电(diàn)技(jì)术(shù)，采用(yòng)Intel 18A的(de)首家外部客户预计于2025年上半年完成流片。

02、HBM4最快下半年出货

HBM的迭代和制造已经开启竞速模式。有消息称，为了配合英伟达的新品发布节奏，SK海力士原计划2026年量产的HBM4，将提前至2025年下半年量产，采用台积电3nm制程。三星也被传出计划在2025年年底完成HBM4开发后立即开始大规模生产，目标客户包括微软和Meta。根据JEDEC固态技术协会发布的HBM4初步规范，HBM4提高了单个堆栈内的层数，从HBM3的最多12层增加到了最多16层，将支持每个堆栈2048位接口，数据传输速率达到6.4GT/s。

03、先进封装产能持续放量

2024年，先进封装景气复苏，引领封测产业向好。2025年，先进封装市场需求有望持续回暖，OSAT（封装测试代工厂商）及头部晶圆厂将进一步扩充先进封装产能，并推动技术升级。台积电在加速CoWoS产能扩充的同时，将在2025年至2026年期间，将CoWoS的光罩尺寸从2023年的3.3倍提升至5.5倍，基板面积突破100×100mm，最多可容纳12个HBM4。长电科技上海临港车规级芯片成品制造基地计划于2025年建成并投入使用。通富超威苏州新基地——通富超威（苏州）微电子有限公司项目一期预计2025年1月实现批量生产，从事FCBGA高端先进封测。华天科技的江苏盘古半导体板级封测项目将于2025年第一季度完成工艺设备搬入，并实现项目投产，致力于推动板级扇出封装技术的大规模量产。

04、AI处理器出货继续保持强劲

2025年，一批AI芯片新品将发布或上市，在架构、制程、散热方式等方面迭代更新，以期提供更强算力和能效。英特尔将在2025年推出基于Intel 18A制程的AI PC处理器Panther Lake和数据中心处理器Clearwater Forest。英伟达预计2025年推出下一代“Blackwell Ultra”GB300，此前发布的GB200 NVL4超级芯片将于2025年下半年供应。AMD将在2025年推出下一代AMD CDNA 4架构，相比基于CDNA 3架构的Instinct加速器，AI推理性能预计提升35倍。AI处理器的出货(huò)动(dòng)能(néng)将(jiāng)拉(lā)动(dòng)存(cún)储(chǔ)、封(fēng)装(zhuāng)等(děng)环(huán)节(jié)的(de)成(chéng)长(zhǎng)。

05、高(gāo)阶(jiē)智(zhì)驾(jià)芯(xīn)片(piàn)进(jìn)入(rù)上(shàng)车(chē)窗(chuāng)口(kǒu)期(qī)

2025年(nián)被(bèi)诸(zhū)多(duō)车(chē)规(guī)芯(xīn)片(piàn)厂(chǎng)商(shāng)视(shì)为(wèi)高(gāo)阶(jiē)智驾的决赛点、量产上车的窗口期。地平线Horizon SuperDrive全场景智能驾驶解决方案预计2025年第三季度交付首款量产合作车型，叠加征程6旗舰版“决胜2025年这一量产关键窗口期”。黑芝麻武当系列预计2025年上车量产，提供自动驾驶、智能座舱、车身控制和其(qí)他(tā)计算功能跨域融合能力。芯擎科(kē)技(jì)自(zì)动(dòng)驾(jià)驶(shǐ)芯(xīn)片(piàn)“星(xīng)辰(chén)一(yī)号(hào)”计(jì)划(huà)于(yú)2025年(nián)实(shí)现(xiàn)批(pī)量(liàng)生(shēng)产(chǎn)。国(guó)际(jì)企(qǐ)业(yè)方(fāng)面(miàn)，高(gāo)通(tōng)于(yú)2024年(nián)10月(yuè)发(fā)布(bù)的(de)Snapdragon Ride至(zhì)尊(zūn)版(bǎn)平台将于2025年出样。此外，基于前代Snapdragon Ride平台，高通已与十多家中国合作伙伴打造了智能驾驶和舱驾融合解决方案，也将在2025年继续上车。英特尔首款锐炫(xuàn)车(chē)载(zài)独(dú)立(lì)显(xiǎn)卡(kǎ)将(jiāng)于(yú)2025年量产，满(mǎn)足(zú)汽(qì)车(chē)座(zuò)舱(cāng)对(duì)算(suàn)力(lì)不(bù)断(duàn)增(zēng)长(zhǎng)的(de)需(xū)求(qiú)。

06、量(liàng)子(zi)处(chù)理(lǐ)器(qì)规(guī)模(mó)上(shàng)量(liàng)

联(lián)合(hé)国(guó)宣(xuān)布(bù)2025年(nián)为(wèi)“量(liàng)子(zi)科(kē)学(xué)与(yǔ)技术之年”。在2024年年末，谷歌Willow、中国科学技术大学“祖冲之三号”等最新量子处理器接连亮相，在量子比特数、量子纠错、相干时间、量子计算优越性等方面取得突破。2025年，业界有望迎来更大规模的量子处理器及计算系统。IBM将在2025年发布包含1386量子比特、具有量子通信链路的多芯片处理器“Kookaburra”。作为演示，IBM会将三个Kookaburra芯片接入一个包含4158量子(zi)比(bǐ)特(tè)的(de)系(xì)统(tǒng)中(zhōng)。此(cǐ)外(wài)，2025年(nián)，IBM将(jiāng)通(tōng)过(guò)集成(chéng)模(mó)块(kuài)化(huà)处(chù)理(lǐ)器(qì)、中(zhōng)间(jiān)件(jiàn)和(hé)量(liàng)子(zi)通(tōng)信(xìn)来(lái)展(zhǎn)示(shì)第(dì)一(yī)台(tái)以(yǐ)量(liàng)子(zi)为(wèi)中(zhōng)心(xīn)的(de)超级计算机，并进一步提升量子电路的质量、执行、速度和并行化。

07、硅光芯片制造技术走向成熟

随着AI服务器对数据传输速率的要求急剧提升，融合了硅芯片工艺流程和光电子高速率、高能效优势的硅光芯片备受关注。2025年，硅光芯片的制造工艺走向成熟。湖北省人民政府在《加快“世界光谷”建设行动计划》中提到，到2025年，完(wán)成(chéng)12英(yīng)寸(cùn)基(jī)础(chǔ)硅(guī)光(guāng)流(liú)片(piàn)工(gōng)艺(yì)开(kāi)发(fā)，形(xíng)成(chéng)国(guó)际(jì)领(lǐng)先(xiān)的(de)硅(guī)光(guāng)晶(jīng)圆(yuán)代(dài)工(gōng)和(hé)生(shēng)产(chǎn)制(zhì)造(zào)能(néng)力(lì)。《广(guǎng)东(dōng)省(shěng)加(jiā)快(kuài)推(tuī)动(dòng)光(guāng)芯(xīn)片(piàn)产(chǎn)业(yè)创(chuàng)新(xīn)发(fā)展(zhǎn)行(xíng)动(dòng)方(fāng)案(àn)（2024—2030年）》提到，支持光芯片相关部件和工艺的研发及优化，支持硅光集成、异质集成、磊晶生长和外延工艺、制造工艺等光芯片相关制造工艺研发和持续优化。在国际企业方面，英伟达在2024年12月的IEDM 2024上展示了与台积电合作开发的硅光子原型。台积电将在2025年实现适用于可插拔光模块的1.6T光引擎，并完成小型可插拔产品的COUPE（紧凑型通用光子引擎）验证。据台积电介绍，COUPE技术使用SoIC-X芯片堆叠技术，将电子裸片堆叠在光子裸片上，从而在die-to-die（裸片与裸片）接口提供更低电阻和更高能效。

08、AI加速与半导体生产融合

AI正在加速与半导体设计、制造等全流程融合。2024年3月，新思科技将AI驱动型EDA全套技术栈部署于英伟达GH200 Grace Hopper超级芯片平台，将在芯片设计、验证、仿真及制造各环节实现最高15倍的效能提升。2024年7月，Aitomatic发布首个为半导体行业定制的开源大模型SemiKong，宣称能缩短芯片设计的上市时间、提升首次流片良率，并加速工程师的学习曲线。2025年，AI有望辅助或者代替(tì)EDA的(de)拟(nǐ)合(hé)类(lèi)算(suàn)法(fǎ)和(hé)工(gōng)作(zuò)，包(bāo)括(kuò)Corner预(yù)测(cè)、数(shù)据(jù)拟(nǐ)合(hé)、规(guī)律(lǜ)学(xué)习(xí)等(děng)。在(zài)制造方面，台积电有望在2nm及以下制程开发中使用英伟达计算光刻平台cuLitho。该(gāi)平(píng)台(tái)提(tí)供(gōng)的(de)加(jiā)速(sù)计(jì)算(suàn)以(yǐ)及(jí)生(shēng)成(chéng)式(shì)AI，使(shǐ)晶(jīng)圆厂能够腾出可用的计算能力和工程带宽，以便在开发2nm及更先进的新技术时设计出更多新颖的解决方案。

09、RISC-V开启高性能产品化

2024年，RISC-V进一步向高性能芯片领域渗透。中国科学院计算技术研究所与北京开源芯片研究院发布第三代“香山”开源高性能RISC-V处理器核，性能水平进入全球第一(yī)梯(tī)队(duì)。同(tóng)时(shí)，面(miàn)向人工智能、数据中心、自动驾驶、移动终端等高性能计算领域，芯来科技、奕斯伟、赛昉科技、进迭时空等一批国内企业发布了IP，工具链，软件平台，AI PC芯片、AI MCU、多媒体处理器等芯片，以及开发板等产品，并在笔记本电脑、云计算以及行业应用等领域形成一批案例。RISC–V主要发明人Krste Asanovi预测，2025年RISC-V内核数将增至800亿颗。2025年也被视为中国RISC-V产业承上启下、打造高性能标杆产品的关键一年，加速打造标志性产品、深化生态建设并推动RISC-V+AI融合，成为产业共识。

10、碳化硅进入8英寸产能转换阶段

在2024年，碳化硅产业加快了从6英寸向8英寸过渡的步伐。2025年，碳化硅产业将正式进入8英寸产能转换阶段。意法半导体在中国设立的合资工厂项目——安意法半导体碳化硅器件工厂预计2025年量产。芯联集成8英寸碳化硅产线计划2025年进入规模量产。罗姆福冈筑后工厂计划于2025年开始量产。Resonac计划于2025年开始规模生产8英寸碳化硅衬底。安森美将于2025年投产8英寸碳化硅晶圆。